半导体器件物理试卷 半导体器件物理的试题

Posted on 2018-05-20

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谁有半导体器件物理(也称固体电子学)的试题和答案,如果没有,习题也可以,[url=1/]平时上课的作业习题和答案。有的朋友希望能够分享一下,谢谢。 http://trp.jlu.edu.cn/software/net/bdt/default.html。

半导体器件物理。当MOSFET器件尺寸缩小时,哪些效应引起阈值电压值下降?给出。 1 源漏电荷的共享
2 漏致势垒降低效应也就是DIBL。用来说明V(DS)增加引起的VT下降的现象
当漏结加较大电压时,漏结电场向源区扩展,使源PN结的势垒降低,从源注入沟道的电子增加,导致漏电流增加,该过程称为DIBL效应。
3还有一个是次表面穿通 这个老师没讲 呵呵
当尺寸缩小时,引起阈值电压下降的主要原因是“短沟道效应”——电荷电荷共享所致。
其他引起阈值电压下降的因素就是温度的升高,但这不管尺寸是否较短,都是有影响的。
至于窄沟道效应,将要引起阈值电压增大(边缘电场所致),而不是降低。
DIBL效应是导致输出伏安特性不饱和的一个原因,但一般并不影响阈值电压。

半导体器件物理第二版的课后习题答案哪找的到?大学材料科学等专业的半导体器件物理第二版、科学出版社的 课后答案网有,不过坑爹的需要下载豆,我也在到处找答案中 一般有的话,很容易就搜到了,找不到就表示网上没有 建议您自己买一本教师用书 就可以了。

关于半导体器件物理。如何推导工作在不饱区的sah方程。问题貌似不难,但小弟实在愚笨,希望高人指点下。写详细点。谢谢。 http://trp.jlu.edu.cn/bdtwl/kejian/6.ppt这是个教案,在第53页有萨支唐(C.T. Sah)方程推倒过程……。

谁有半导体物理与器件往年的试卷,求分享。专业名称:光伏材料加工与应用
专业代码:550110
一、专业培养目标
本专业培养具备太阳能光伏材料、太阳电池所需的材料基础知识和相关测试技术基础。掌握光伏材料性能、结构与制备处理技术及运用能力,掌握太阳电池的制造工艺,了解相关半导体器件的设计与制造工艺知识,了解太阳能光伏系统发电应用技术。侧重培养在光伏材料、光伏电池行业等相关领域从事生产运行、技术管理、产品检测与质量控制等方面$半导体器件物理试卷。

半导体器件物理。在CMOS器件中哪些因素引起器件功率消耗和响应时间延迟?有何。 响应时间延迟与两个因素有关,所以需要降低输出电容和减小充放电通路的电阻(与器件本身的导通电阻有关)。
一般,在电流不是很小时,也就是器件在开关过程中既有电压CMOS器件的功耗主要是动态功耗(静态功耗几乎为0),负载延迟往往起很大作用,功耗直接关系到器件的开关速度。所以提高开关速度即可降低功耗:器件本身造成的延迟和负载电容充放$半导体器件物理试卷。@半导体器件物理
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